介質(zhì)損耗試驗測量的是是介質(zhì)損失角正切值或功率因素，在外加交流電壓的作用下，絕緣介質(zhì)就流過(guò)電流，電流在介質(zhì)中產(chǎn)生能量損耗，這種損耗稱(chēng)為介質(zhì)損耗。介質(zhì)損耗很大時(shí)，就會(huì )使介質(zhì)的溫度升高而老化，甚至導致熱擊穿。因此，介質(zhì)損耗的大小就反映了介質(zhì)的優(yōu)劣狀況。
影響因素：
1、溫度的影響。tgδ值受溫度影響而變化，為了比較試驗結果，對同一設備在不同溫度下的變化必須將結果歸算到一個(gè)公共的基準溫度，一般歸算到20℃
2、濕度的影響。在不同的濕度下測得的值也是有差別的，應在空氣相對濕度小于80%下進(jìn)行試驗。
3、絕緣的清潔度和表面泄漏電流的影響。這可以用清潔和干燥外表面來(lái)將損失減到小，也可采用涂硅油等辦法來(lái)削除這種影響。
分析判斷：
1、和《電力設備預防性試驗規程》的要求值作比較。
2、對逐年的試驗結果應進(jìn)行比較，在兩個(gè)試驗間隔之間的試驗測量值不應該有明顯的變化。
3、當tgδ值未超過(guò)規定值時(shí)，可以補充測量電容量來(lái)分析，電容量不應該有明顯的變化。
4、應充分考慮溫度等的影響，并進(jìn)行修正。
5、通過(guò)測tgδ=f(U)的曲線(xiàn)，觀(guān)察tgδ是否隨電壓而上升，來(lái)判斷絕緣內部是否有分層、裂紋等缺陷。